Surface Engineering: Surface Modification of Materials

┬╖
┬╖ Springer Science & Business Media
рдИ-рдкреБрд╕реНрддрдХ
764
рдкреЗрдЬ
рд░реЗрдЯрд┐рдВрдЧ рдЖрдгрд┐ рдкрд░реАрдХреНрд╖рдгреЗ рдпрд╛рдВрдЪреА рдкрдбрддрд╛рд│рдгреА рдХреЗрд▓реЗрд▓реА рдирд╛рд╣реА ┬ардЕрдзрд┐рдХ рдЬрд╛рдгреВрди рдШреНрдпрд╛

рдпрд╛ рдИ-рдкреБрд╕реНрддрдХрд╛рд╡рд┐рд╖рдпреА

Over the last few years there has been increasing need for systematic and straregically designed experiments of surface morphology evolution resulting form ion bombardment induced sputtering. Although there is an impressive number of investi gations {1} concerned with semiconductor materials as a result of immediate applications, the most systematic investigations have been conducted with fcc metals with particular interest on single crystal Cu {2,3}. Evidence now exists that within certain para meters (i. e ion species (Ar+), ion energy (20-44 KeV), substrate 2 temperature (80-550┬░ K), dose rate (100-500 gA cm- ) , residual x 5 9 pressure (5 10- to 5x10- mm Hg) and polar and azimuthal angle of ion incidence {4} reproducible surface morphology (etch pits and pyramids) is achieved on the (11 3 1) specific crystallographic orientation. The temporal development of individual surface features was alsoobserved in this laterstudy {4}, by employing an in situ ion source in the scanning electron microscope at Salford, a technique also empolyed in studies of the influence of polar angle of ion incidence {5} and surface contaminants {6} on the topographyof Ar+ bombarded Si. Studies have also been made on the variation of incident ion species with the (11 3 1) Cu surface and it was fully recognized {7} that residual surface contaminants when present could playa major role in dictating the morhological evolution.

рдпрд╛ рдИ-рдкреБрд╕реНрддрдХрд▓рд╛ рд░реЗрдЯрд┐рдВрдЧ рджреНрдпрд╛

рддреБрдореНрд╣рд╛рд▓рд╛ рдХрд╛рдп рд╡рд╛рдЯрддреЗ рддреЗ рдЖрдореНрд╣рд╛рд▓рд╛ рд╕рд╛рдВрдЧрд╛.

рд╡рд╛рдЪрди рдорд╛рд╣рд┐рддреА

рд╕реНрдорд╛рд░реНрдЯрдлреЛрди рдЖрдгрд┐ рдЯреЕрдмрд▓реЗрдЯ
Android рдЖрдгрд┐ iPad/iPhone рд╕рд╛рдареА Google Play рдмреБрдХ рдЕтАНреЕрдк рдЗрдВрд╕реНтАНрдЯреЙрд▓ рдХрд░рд╛. рд╣реЗ рддреБрдордЪреНтАНрдпрд╛ рдЦрд╛рддреНтАНрдпрд╛рдиреЗ рдЖрдкреЛрдЖрдк рд╕рд┐рдВрдХ рд╣реЛрддреЗ рдЖрдгрд┐ рддреБрдореНтАНрд╣реА рдЬреЗрдереЗ рдХреБрдареЗ рдЕрд╕рд╛рд▓ рддреЗрдереВрди рддреБрдореНтАНрд╣рд╛рд▓рд╛ рдСрдирд▓рд╛рдЗрди рдХрд┐рдВрд╡рд╛ рдСрдлрд▓рд╛рдЗрди рд╡рд╛рдЪрдгреНтАНрдпрд╛рдЪреА рдЕрдиреБрдорддреА рджреЗрддреЗ.
рд▓реЕрдкрдЯреЙрдк рдЖрдгрд┐ рдХреЙрдВрдкреНрдпреБрдЯрд░
рддреБрдореНрд╣реА рддреБрдордЪреНрдпрд╛ рдХрд╛рдБрдкреНрдпреБрдЯрд░рдЪрд╛ рд╡реЗрдм рдмреНрд░рд╛рдЙрдЭрд░ рд╡рд╛рдкрд░реВрди Google Play рд╡рд░ рдЦрд░реЗрджреА рдХреЗрд▓реЗрд▓реА рдСрдбрд┐рдУрдмреБрдХ рдРрдХреВ рд╢рдХрддрд╛.
рдИрд╡рд╛рдЪрдХ рдЖрдгрд┐ рдЗрддрд░ рдбрд┐рд╡реНрд╣рд╛рдЗрд╕реЗрд╕
Kobo eReaders рд╕рд╛рд░рдЦреНрдпрд╛ рдИ-рдЗрдВрдХ рдбрд┐рд╡реНтАНрд╣рд╛рдЗрд╕рд╡рд░ рд╡рд╛рдЪрдгреНтАНрдпрд╛рд╕рд╛рдареА, рддреБрдореНрд╣реА рдПрдЦрд╛рджреА рдлрд╛рдЗрд▓ рдбрд╛рдЙрдирд▓реЛрдб рдХрд░реВрди рддреА рддреБрдордЪреНтАНрдпрд╛ рдбрд┐рд╡реНтАНрд╣рд╛рдЗрд╕рд╡рд░ рдЯреНрд░рд╛рдиреНрд╕рдлрд░ рдХрд░рдгреЗ рдЖрд╡рд╢реНрдпрдХ рдЖрд╣реЗ. рд╕рдкреЛрд░реНрдЯ рдЕрд╕рд▓реЗрд▓реНрдпрд╛ eReaders рд╡рд░ рдлрд╛рдЗрд▓ рдЯреНрд░рд╛рдиреНрд╕рдлрд░ рдХрд░рдгреНрдпрд╛рд╕рд╛рдареА, рдорджрдд рдХреЗрдВрджреНрд░ рдордзреАрд▓ рддрдкрд╢реАрд▓рд╡рд╛рд░ рд╕реВрдЪрдирд╛ рдлреЙрд▓реЛ рдХрд░рд╛.