Robust SRAM Designs and Analysis
серп. 2012 р. · Springer Science & Business Media
Електронна книга
168
Сторінки
reportGoogle не перевіряє оцінки й відгуки. Докладніше.
Про цю електронну книгу
This book provides a guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis to meet the nano-regime challenges for CMOS devices and emerging devices, such as Tunnel FETs. Since process variability is an ongoing challenge in large memory arrays, this book highlights the most popular SRAM bitcell topologies (benchmark circuits) that mitigate variability, along with exhaustive analysis. Experimental simulation setups are also included, which cover nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis. Emphasis is placed throughout the book on the various trade-offs for achieving a best SRAM bitcell design.
- Provides a complete and concise introduction to SRAM bitcell design and analysis;
- Offers techniques to face nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis;
- Includes simulation set-ups for extracting different design metrics for CMOS technology and emerging devices;
- Emphasizes different trade-offs for achieving the best possible SRAM bitcell design.
Оцініть цю електронну книгу
Повідомте нас про свої враження.
Як читати
Смартфони та планшети
Установіть додаток Google Play Книги для Android і iPad або iPhone. Він автоматично синхронізується з вашим обліковим записом і дає змогу читати книги в режимах онлайн і офлайн, де б ви не були.
Портативні та настільні комп’ютери
Ви можете слухати аудіокниги, куплені в Google Play, у веб-переглядачі на комп’ютері.
eReader та інші пристрої
Щоб користуватися пристроями для читання електронних книг із технологією E-ink, наприклад Kobo, вам знадобиться завантажити файл і перенести його на відповідний пристрій. Докладні вказівки з перенесення файлів на підтримувані пристрої можна знайти в Довідковому центрі.
