Robust SRAM Designs and Analysis

Jawar Singh · Saraju P. Mohanty · Dhiraj K. Pradhan

សីហា 2012 · Springer Science & Business Media

សៀវភៅអេឡិចត្រូនិច

168

ទំព័រ

ការវាយតម្លៃ និងមតិវាយតម្លៃមិនត្រូវបានផ្ទៀងផ្ទាត់ទេ ស្វែងយល់បន្ថែម

អំពីសៀវភៅអេឡិចត្រូនិកនេះ

This book provides a guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis to meet the nano-regime challenges for CMOS devices and emerging devices, such as Tunnel FETs. Since process variability is an ongoing challenge in large memory arrays, this book highlights the most popular SRAM bitcell topologies (benchmark circuits) that mitigate variability, along with exhaustive analysis. Experimental simulation setups are also included, which cover nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis. Emphasis is placed throughout the book on the various trade-offs for achieving a best SRAM bitcell design.

Provides a complete and concise introduction to SRAM bitcell design and analysis;
Offers techniques to face nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis;
Includes simulation set-ups for extracting different design metrics for CMOS technology and emerging devices;
Emphasizes different trade-offs for achieving the best possible SRAM bitcell design.

វាយតម្លៃសៀវភៅអេឡិចត្រូនិកនេះ

ប្រាប់យើងអំពីការយល់ឃើញរបស់អ្នក។

អានព័ត៌មាន

ទូរសព្ទឆ្លាតវៃ និងថេប្លេត

ដំឡើងកម្មវិធី Google Play Books សម្រាប់ Android និង iPad/iPhone ។ វាធ្វើសមកាលកម្មដោយស្វ័យប្រវត្តិជាមួយគណនីរបស់អ្នក និងអនុញ្ញាតឱ្យអ្នកអានពេលមានអ៊ីនធឺណិត ឬគ្មានអ៊ីនធឺណិតនៅគ្រប់ទីកន្លែង។

កុំព្យូទ័រយួរដៃ និងកុំព្យូទ័រ

អ្នកអាចស្ដាប់សៀវភៅជាសំឡេងដែលបានទិញនៅក្នុង Google Play ដោយប្រើកម្មវិធីរុករកតាមអ៊ីនធឺណិតក្នុងកុំព្យូទ័ររបស់អ្នក។

eReaders និងឧបករណ៍ផ្សេងទៀត

ដើម្បីអាននៅលើឧបករណ៍ e-ink ដូចជាឧបករណ៍អានសៀវភៅអេឡិចត្រូនិក Kobo អ្នកនឹងត្រូវទាញយកឯកសារ ហើយផ្ទេរវាទៅឧបករណ៍របស់អ្នក។ សូមអនុវត្តតាមការណែនាំលម្អិតរបស់មជ្ឈមណ្ឌលជំនួយ ដើម្បីផ្ទេរឯកសារទៅឧបករណ៍អានសៀវភៅអេឡិចត្រូនិកដែលស្គាល់។

រាយការណ៍អំពីខ្លឹមសារខុសច្បាប់