Robust SRAM Designs and Analysis
أغسطس 2012 · Springer Science & Business Media
كتاب إلكتروني
168
صفحة
reportلم يتم التحقّق من التقييمات والمراجعات. مزيد من المعلومات
معلومات عن هذا الكتاب الإلكتروني
This book provides a guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis to meet the nano-regime challenges for CMOS devices and emerging devices, such as Tunnel FETs. Since process variability is an ongoing challenge in large memory arrays, this book highlights the most popular SRAM bitcell topologies (benchmark circuits) that mitigate variability, along with exhaustive analysis. Experimental simulation setups are also included, which cover nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis. Emphasis is placed throughout the book on the various trade-offs for achieving a best SRAM bitcell design.
- Provides a complete and concise introduction to SRAM bitcell design and analysis;
- Offers techniques to face nano-regime challenges such as process variation, leakage and NBTI for SRAM design and analysis;
- Includes simulation set-ups for extracting different design metrics for CMOS technology and emerging devices;
- Emphasizes different trade-offs for achieving the best possible SRAM bitcell design.
تقييم هذا الكتاب الإلكتروني
أخبرنا ما هو رأيك.
معلومات القراءة
الهواتف الذكية والأجهزة اللوحية
ينبغي تثبيت تطبيق كتب Google Play لنظام التشغيل Android وiPad/iPhone. يعمل هذا التطبيق على إجراء مزامنة تلقائية مع حسابك ويتيح لك القراءة أثناء الاتصال بالإنترنت أو بلا اتصال بالإنترنت أينما كنت.
أجهزة الكمبيوتر المحمول وأجهزة الكمبيوتر
يمكنك الاستماع إلى الكتب المسموعة التي تم شراؤها على Google Play باستخدام متصفح الويب على جهاز الكمبيوتر.
أجهزة القراءة الإلكترونية والأجهزة الأخرى
للقراءة على أجهزة الحبر الإلكتروني، مثل أجهزة القارئ الإلكتروني Kobo، عليك تنزيل ملف ونقله إلى جهازك. يُرجى اتّباع التعليمات المفصّلة في مركز المساعدة لتتمكّن من نقل الملفات إلى أجهزة القارئ الإلكتروني المتوافقة.
