Oxygen in Silicon

R. K. Willardson · Eicke R. Weber · Albert C. Beer · Fumio Shimura

ਅਗ 1994 · Semiconductors and Semimetals ਕਿਤਾਬ 42 · Academic Press

ਈ-ਕਿਤਾਬ

679

ਪੰਨੇ

ਯੋਗ

ਰੇਟਿੰਗਾਂ ਅਤੇ ਸਮੀਖਿਆਵਾਂ ਦੀ ਪੁਸ਼ਟੀ ਨਹੀਂ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ ਹੋਰ ਜਾਣੋ

ਇਸ ਈ-ਕਿਤਾਬ ਬਾਰੇ

This volume reviews the latest understanding of the behavior and roles of oxygen in silicon, which will carry the field into the ULSI era from the experimental and theoretical points of view. The fourteen chapters, written by recognized authorities representing industrial and academic institutions, cover thoroughly the oxygen related phenomena from the crystal growth to device fabrication processes, as well as indispensable diagnostic techniques for oxygen. - Comprehensive study of the behavior of oxygen in silicon - Discusses silicon crystals for VLSI and ULSI applications - Thorough coverage from crystal growth to device fabrication - Edited by technical experts in the field - Written by recognized authorities from industrial and academic institutions - Useful to graduate students, scientists in other disciplines, and active participants in the arena of silicon-based microelectronics research - 297 original line drawings

ਇਸ ਈ-ਕਿਤਾਬ ਨੂੰ ਰੇਟ ਕਰੋ

ਆਪਣੇ ਵਿਚਾਰ ਦੱਸੋ

ਪੜ੍ਹਨ ਸੰਬੰਧੀ ਜਾਣਕਾਰੀ

ਸਮਾਰਟਫ਼ੋਨ ਅਤੇ ਟੈਬਲੈੱਟ

Google Play Books ਐਪ ਨੂੰ Android ਅਤੇ iPad/iPhone ਲਈ ਸਥਾਪਤ ਕਰੋ। ਇਹ ਤੁਹਾਡੇ ਖਾਤੇ ਨਾਲ ਸਵੈਚਲਿਤ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਿੰਕ ਕਰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਤੁਹਾਨੂੰ ਕਿਤੋਂ ਵੀ ਆਨਲਾਈਨ ਜਾਂ ਆਫ਼ਲਾਈਨ ਪੜ੍ਹਨ ਦਿੰਦੀ ਹੈ।

ਲੈਪਟਾਪ ਅਤੇ ਕੰਪਿਊਟਰ

ਤੁਸੀਂ ਆਪਣੇ ਕੰਪਿਊਟਰ ਦਾ ਵੈੱਬ ਬ੍ਰਾਊਜ਼ਰ ਵਰਤਦੇ ਹੋਏ Google Play 'ਤੇ ਖਰੀਦੀਆਂ ਗਈਆਂ ਆਡੀਓ-ਕਿਤਾਬਾਂ ਸੁਣ ਸਕਦੇ ਹੋ।

eReaders ਅਤੇ ਹੋਰ ਡੀਵਾਈਸਾਂ

e-ink ਡੀਵਾਈਸਾਂ 'ਤੇ ਪੜ੍ਹਨ ਲਈ ਜਿਵੇਂ Kobo eReaders, ਤੁਹਾਨੂੰ ਫ਼ਾਈਲ ਡਾਊਨਲੋਡ ਕਰਨ ਅਤੇ ਇਸਨੂੰ ਆਪਣੇ ਡੀਵਾਈਸ 'ਤੇ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੋਵੇਗੀ। ਸਮਰਥਿਤ eReaders 'ਤੇ ਫ਼ਾਈਲਾਂ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਕਰਨ ਲਈ ਵੇਰਵੇ ਸਹਿਤ ਮਦਦ ਕੇਂਦਰ ਹਿਦਾਇਤਾਂ ਦੀ ਪਾਲਣਾ ਕਰੋ।

ਗੈਰ-ਕਨੂੰਨੀ ਸਮੱਗਰੀ ਰਿਪੋਰਟ ਕਰੋ