Dispersion Relations in Heavily-Doped Nanostructures

· Springer Tracts in Modern Physics Գիրք 265 · Springer
1,0
1 կարծիք
Էլ. գիրք
625
Էջեր
Գնահատականները և կարծիքները չեն ստուգվում  Իմանալ ավելին

Այս էլ․ գրքի մասին

This book presents the dispersion relation in heavily doped nano-structures. The materials considered are III-V, II-VI, IV-VI, GaP, Ge, Platinum Antimonide, stressed, GaSb, Te, II-V, HgTe/CdTe superlattices and Bismuth Telluride semiconductors. The dispersion relation is discussed under magnetic quantization and on the basis of carrier energy spectra. The influences of magnetic field, magneto inversion, and magneto nipi structures on nano-structures is analyzed. The band structure of optoelectronic materials changes with photo-excitation in a fundamental way according to newly formulated electron dispersion laws. They control the quantum effect in optoelectronic devices in the presence of light. The measurement of band gaps in optoelectronic materials in the presence of external photo-excitation is displayed. The influences of magnetic quantization, crossed electric and quantizing fields, intense electric fields on the on the dispersion relation in heavily doped semiconductors and super-lattices are also discussed. This book contains 200 open research problems which form the integral part of the text and are useful for graduate students and researchers. The book is written for post graduate students, researchers and engineers.

Գնահատականներ և կարծիքներ

1,0
1 կարծիք

Գնահատեք էլ․ գիրքը

Կարծիք հայտնեք։

Տեղեկություններ

Սմարթֆոններ և պլանշետներ
Տեղադրեք Google Play Գրքեր հավելվածը Android-ի և iPad/iPhone-ի համար։ Այն ավտոմատ համաժամացվում է ձեր հաշվի հետ և թույլ է տալիս կարդալ առցանց և անցանց ռեժիմներում:
Նոթբուքներ և համակարգիչներ
Դուք կարող եք լսել Google Play-ից գնված աուդիոգրքերը համակարգչի դիտարկիչով:
Գրքեր կարդալու սարքեր
Գրքերը E-ink տեխնոլոգիան աջակցող սարքերով (օր․՝ Kobo էլեկտրոնային ընթերցիչով) կարդալու համար ներբեռնեք ֆայլը և այն փոխանցեք ձեր սարք։ Մանրամասն ցուցումները կարող եք գտնել Օգնության կենտրոնում։