Dislocations in Solids: Volume 15

·
· Dislocations in Solids 15. grāmata · Elsevier
E-grāmata
328
Lappuses
Piemērota
Atsauksmes un vērtējumi nav pārbaudīti. Uzzināt vairāk

Par šo e-grāmatu

Bacon and Osetsky present an atomistic model of dislocation-particle interactions in metal systems, including irradiated materials. This work is important in simulating actual behavior, removing earlier reliance on assumed mechanisms for dislocation motion. New mechanisms for dislocation generation under shock loading are presented by Meyers et al. These models provide a basis for understanding the constitutive behavior of shocked material. Saada and Dirras provide a new perspective on the Hall-Petch relation, with particular emphasis on nanocrystals. Of particular significance, deviations from the traditional stress proportional to the square-root of grain size relation are explained. Robertson et al consider a number of effects of hydrogen on plastic flow and provide a model that provides an explanation of the broad range of properties. - Flow stress of metal systems with particle hardening, including radiation effects - New model for dislocation kinetics under shock loading - Explanation of effects of nanoscale grain size on strength - Mechanism of hydrogen embrittlement in metal alloys

Novērtējiet šo e-grāmatu

Izsakiet savu viedokli!

Informācija lasīšanai

Viedtālruņi un planšetdatori
Instalējiet lietotni Google Play grāmatas Android ierīcēm un iPad planšetdatoriem/iPhone tālruņiem. Lietotne tiks automātiski sinhronizēta ar jūsu kontu un ļaus lasīt saturu tiešsaistē vai bezsaistē neatkarīgi no jūsu atrašanās vietas.
Klēpjdatori un galddatori
Varat klausīties pakalpojumā Google Play iegādātās audiogrāmatas, izmantojot datora tīmekļa pārlūkprogrammu.
E-lasītāji un citas ierīces
Lai lasītu grāmatas tādās elektroniskās tintes ierīcēs kā Kobo e-lasītāji, nepieciešams lejupielādēt failu un pārsūtīt to uz savu ierīci. Izpildiet palīdzības centrā sniegtos detalizētos norādījumus, lai pārsūtītu failus uz atbalstītiem e-lasītājiem.