Dislocations in Solids: Volume 15

·
· Dislocations in Solids Libro 15 · Elsevier
Libro electrónico
328
Páxinas
Apto
As valoracións e as recensións non están verificadas  Máis información

Acerca deste libro electrónico

Bacon and Osetsky present an atomistic model of dislocation-particle interactions in metal systems, including irradiated materials. This work is important in simulating actual behavior, removing earlier reliance on assumed mechanisms for dislocation motion. New mechanisms for dislocation generation under shock loading are presented by Meyers et al. These models provide a basis for understanding the constitutive behavior of shocked material. Saada and Dirras provide a new perspective on the Hall-Petch relation, with particular emphasis on nanocrystals. Of particular significance, deviations from the traditional stress proportional to the square-root of grain size relation are explained. Robertson et al consider a number of effects of hydrogen on plastic flow and provide a model that provides an explanation of the broad range of properties. - Flow stress of metal systems with particle hardening, including radiation effects - New model for dislocation kinetics under shock loading - Explanation of effects of nanoscale grain size on strength - Mechanism of hydrogen embrittlement in metal alloys

Valora este libro electrónico

Dános a túa opinión.

Información de lectura

Smartphones e tabletas
Instala a aplicación Google Play Libros para Android e iPad/iPhone. Sincronízase automaticamente coa túa conta e permíteche ler contido en liña ou sen conexión desde calquera lugar.
Portátiles e ordenadores de escritorio
Podes escoitar os audiolibros comprados en Google Play a través do navegador web do ordenador.
Lectores de libros electrónicos e outros dispositivos
Para ler contido en dispositivos de tinta electrónica, como os lectores de libros electrónicos Kobo, é necesario descargar un ficheiro e transferilo ao dispositivo. Sigue as instrucións detalladas do Centro de Axuda para transferir ficheiros a lectores electrónicos admitidos.